電子半導體產線工藝廢氣治理

1、PECVD工藝廢氣

PECVD設備尾氣主要包含硅烷SiH4及氨氣NH3等。

處理工藝:不銹鋼燃燒筒→不銹鋼硅烷燃燒洗滌塔-氨氣洗滌塔+離心風機

主要特點:硅烷去除率高,氨氣及其他水溶性氣體凈化率高，占地面積小，耐腐蝕，便于維修。

2.絲網印刷工藝廢氣

絲網印刷廢氣工藝主要涉及的主要設備印刷機和燒結爐，產生的廢氣主要是一些以脂類和醇類廢氣為主的有機廢氣及熱廢氣。

處理工藝：采用活性炭纖維吸附塔。

主要特點：設備占地面積小，耐腐蝕，便于維修，無二次污染，凈化效率較活性炭顆粒較高。

設備主要特點：洗滌塔采用酸/堿洗滌、水洗一體塔+活性炭吸附進行廢氣凈化處理，自動化控制，達標排放，占地面積少、控制操作簡單方便，處理效果佳、維護成本低。

干化等工藝產生的臭氣采用酸堿洗滌吸收、生物除臭、光催化氧化、活性炭吸附等工藝處理，達標排放。

太陽能電池片工藝廢氣治理

1、制絨工藝廢氣

在制絨工藝過程中，廢氣源主要為制絨機,廢氣種類因工藝不同而有區別，一般主要廢氣為:制絨氫氧化鈉NaOH、KOH廢氣比較多一點 ,多晶制絨氮氧化物NOX比較多一點，還有少量HF等廢氣。

處理工藝:

氮氧化物濃度較高的采用四級串聯高濃度酸霧凈化塔,添加氫氧化鈉、硫化鈉進行洗滌處理;氮氧化物濃度較低的采用兩級串聯酸霧凈化塔,添加氫氧化鈉進行洗滌處理。

主要特點:

凈化效率高,結構緊湊，耐腐蝕，耐老化性能好,自動化控制，操作簡單 ,廣泛應用于太陽能、電子半導體等行業。

2、擴散工藝廢氣、去磷硅玻璃、刻蝕工藝廢氣

擴散工藝涉及的設備主要是:擴散爐，其中酸性廢氣為鹽酸霧HCl及少量氯氣Cl2。去磷硅玻璃、刻蝕工藝涉及的主要設備為刻蝕機、硅片清洗機等，產生主要酸性廢氣為HF、CF4、SiF4等，采用酸霧凈化塔，添加氫氧化鈉進行洗滌處理。

主要特點:

凈化效率高，結構緊湊，耐腐蝕 ,耐老化性能好，廣泛應用于太陽能、電子半導體等行業。